隨著摩爾定律逼近物理極限，先進製程的推展越發艱鉅，但市場對於效能的提升仍需求孔亟。因此透過先進封裝，將多種晶片透過異質整合的方式，整合成一個高效能系統，成為新的突破口。

根據台積電（2330）在SEMICON Taiwan 2025研討會提供的數據表示，28奈米到A16製程，僅靠製程微縮可提升80倍算力，然而搭配先進封技術，可大幅提升至320倍。

有鑒於此，台積電早在2022年8月底技術論壇中，就表示將統整旗下SoIC（System on Integrated Chips）、InFO（Integrated Fan-Out，整合扇出型）及CoWoS （Chip-on-Wafer-on-Substrate）等3D IC技術平台，命名為「3D Fabric」，將邏輯小晶片（Chiplet）、高頻寬記憶體（HBM）、特殊製程晶片等整合在一起。

SoIC 、InFO、CoWoS差異

SoIC 是一種高密度3D小晶片堆疊技術，專為10奈米以下先進製程設計的封裝技術，不使用傳統的金屬凸塊（Bump），而是透過混合鍵合（Hybrid Bonding）技術，將不同功能、節點的晶粒（Die）進行垂直異質整合，達到更小的互連間距與更高密度，實現短訊號傳輸、低功耗與高效能，廣泛應用於人工智慧（AI）與高速運算（HPC）晶片。

InFO是一種高密度、輕薄化的晶圓級封裝技術，透過去除傳統載板（Substrate）並直接在晶圓上進行封裝，大幅縮短訊號傳輸路徑、降低成本與功耗，適用於智慧型手機、穿戴設備與HPC等高密度互連應用。

CoWoS為2.5D封裝，將不同類型的晶片如系統單晶片（SoC）、記憶體等晶片放置在中介層（interposer）上，經由微凸塊連結，讓各晶片間的電子訊號順利傳輸，並經由「矽穿孔」（TSV）技術連結至下方的基板，藉此縮短晶片間的距離，能減少所佔體積、降低延遲和功耗、達到更佳效能。

「矽穿孔」可縮短晶片間的距離

資料來源：群益投顧

新技術WMCM取代InFo，獲蘋果率先採用

WMCM（晶圓級多晶片模組架構）是InFO技術的延伸，與InFO最大差異在於，可於重佈線層上平行整合不同功能晶片，包括AP應用處理器、記憶體，甚至高速I/O Die（輸入/輸出晶片），藉此提升互連密度、封裝良率與散熱效果。

蘋果將成為首位採用WMCM的客戶，計劃導入在2026年下半年推出的首款摺疊iPhone，以求在擴大記憶體容量下，同時維持更薄的封裝厚度。若導入順利，預期2027年將會擴大至更多機型。

InFO和WMCM比較表

資料來源：國泰證期研究部

台積電未來2年積極擴張先進封裝

為因應客戶先進封裝需求，台積電未來2年計畫大舉擴張先進封裝產能，今年首季舉辦的法說會上，宣布全年資本支出上看520億～560億美元，其中先進封裝占1成～2成。

台積電CoWoS在2025年底月產能約7萬片，估2026年底來到10萬片、2027年底再成長至13萬片，若加計日月光、矽品、Amkor（艾克爾）3家OSAT（外包半導體封裝與測試）業者則為8萬片、14萬片、17萬片。至於新推出的WMCM，估2026年第2季開始建置、第3季月產能2.5萬片、年底翻倍至5萬片。

5家設備廠受惠台積電積極擴張先進封裝

由於台積電與OAST廠未來2年將大舉擴張CoWoS產能，加上WMCM的製程與CoWoS相近，故預期將為CoWoS的5家主力台灣設備廠帶來顯著的業績貢獻，分別為濕製程設備的弘塑（3131）、辛耘（3583），以及G2C+聯盟的志聖（2467）、均豪（5443）、均華（6640）。

一、濕製程設備

弘塑（3131）

半導體濕製程設備廠，約占營收6成，另有2成來自配方化學品、15%來自代理量測設備。弘塑的產品線涵蓋單晶圓旋轉設備、批次式槽酸設備、複合式製程設備，主要應用於清潔、蝕刻、顯影和光阻剝離。

受惠先進封裝擴產，2025年設備總出貨量達170台～200台，較2024年成長70%～100%，帶動營收創新高。2026年除受惠CoWoS持續擴產外，新增的WMCM業務亦會帶來營收中個位數百分比的貢獻。

二期廠房預計2026年第1季開出、第3季放量，自有產能將翻倍至每年200台，有利毛利率走揚，進而帶動獲利成長。

辛耘（3583）

辛耘代理業務約占55%～60%、自製業務約占40%～45%。自製業務中，設備製造與再生晶圓約3：1。自製設備包括批次式晶圓濕製程設備、單晶圓濕製程設備、水氣烘烤設備及暫時性貼合剝離設備。