韓國三星電子30日正式宣布開始量產3奈米晶片，領先台積電及英特爾等國際競爭對手，可提高晶片性能23%，縮小晶片面積16%。

韓聯社報導，三星電子30日正式宣布量產環繞閘極（GAA）架構的3奈米製程，於設有極紫外光（EUV）設備的華城園區S3產線投入生產。

三星電子說明，新上線的3奈米製程與三星電子既有的5奈米製程相比，用電可節約45%，性能提高23%，晶片面積縮小16%；明年預定導入的2世代GAA技術的3奈米製程將可進一步節約電力至50%，提高性能30%，縮小晶片面積35%等。

三星電子規劃先在高效能運算（HPC）用系統晶片導入3奈米製程，之後再擴大應用至系統單晶片（SoC）。

三星電子晶圓代工事業部長崔時英表示，三星電子藉由率先導入FinFET、EUV等晶圓代工新技術快速成長，這次應用GAA技術的3奈米製程也領先全球，「今後將積極開發（與其他業者）差別化的技術，構築快速提高製程成熟度的系統」。

根據研調機構集邦科技（TrendForce）統計，今年第一季全球晶圓代工市占率由台積電以53.6%高居第一，三星電子以16.3%位居第二。報導指出，三星電子可能希望藉這次率先推出3奈米製程，追上最大勁敵台積電。

在此之前，三星電子與台積電的最尖端製程皆為4奈米，台積電先前表示，將在今年下半年開始3奈米製程量產。三星電子繼這次3奈米製程投入量產後，規劃在2025年投入GAA架構的2奈米製程。

小檔案＿中央社

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