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    Smart智富月刊328期

    漲價浪潮從DRAM延伸至NAND商品

    記憶體超級循環啟動 3台廠受惠深

    撰文者:薛靖 2025-12-01 瀏覽數:204
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    人工智慧(AI)趨勢明確,記憶體產業從去年(2024年)開始就一直是市場的焦點。隨著AI伺服器的建置需求大幅提高,對於高頻寬記憶體(HBM)的需求也持續爆發性增長,並推升報價上漲。而原先市場認為缺貨助長漲價,只會發生在HBM,但目前可以看到這波漲價一路延伸到動態隨機存取記憶體(DRAM),現在更進一步往快閃記憶體(NAND Flash)延伸,不少法人、外資紛紛以「記憶體超級循環」形容這波漲勢。鑑於愈來愈多用於生成圖片的語言模型出現在市面,以及AI開始從訓練端走向推論端擴大應用,預估這波記憶體漲勢將走得更遠!

    產能排擠效應發酵
    記憶體報價將上修

    HBM是一種針對高性能計算(HPC)和AI應用設計的先進記憶體技術,具有更高的資料傳輸頻寬和更低的延遲特性,可謂構成圖形處理器(GPU)的重要零組件。以一顆GPU晶片來看,HBM占成本的比重可以高達50%至60%以上。故2024年以來,隨著AI基礎設施投資激增,HBM的出貨量也快速成長。以研調機構Yole Group的數據來看,2024年HBM市場規模為174億美元,2025年又跳升到340億美元,成長動能非常強勁。

    以製程角度來看,HBM記憶體的生產並不容易,它採用3D堆疊技術且會運用到先進封裝,有成本高、良率低的問題,晶圓處理時間更是比第4代同步動態隨機存取記憶體(DDR4)長2倍到3倍,故隨著今年HBM記憶體需求大幅度提高,使得記憶體廠商開始將晶圓廠的產能更大量的挪移至HBM生產,並對一般型DRAM產生排擠效應。

    今年6月,DRAM產能已開始明顯供不應求。三星、美光考量到HBM帶來的高價值,以及DDR5產品具有更好的利潤,陸續訂出DDR4產品停產計畫;9月後,美光更是對客戶發出通知,宣布全面暫停DRAM、NAND Flash報價,並暫停與OEM、ODM客戶洽談長約,徹底點燃市場的追價情緒。

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