超微（AMD）搶攻AI商機，最新發表的MI300X HBM（高頻寬記憶體）密度為輝達（Nvidia）H100的2.4倍、頻寬為H100的1.6倍，性能超越產業先行者；業內人士認為，在Chiplet（小晶片封裝）、HBM等領先技術助拳之下，MI300X有望與輝達H200平分秋色；而HBM3／3e使用DDR5晶圓堆疊，在AI伺服器需求持續強勁之下，供需格局轉佳，台廠DDR5供應鏈可望受惠。

台灣DDR5受惠供應鏈，包含連接器之嘉澤（3533）與優群（3217）、模組廠之威剛（3260）與十銓（4967）。十銓表示，AI一定會用到更多記憶體、更多的DRAM和更大的儲存SSD需求，樂觀看待2024年整體記憶體產業表現。

而在2024年HBM／DDR5產能比重提升下，亦有利DDR3／4供需轉佳，南亞科（2408）、封測廠南茂（8150）、力成（6239）有望受惠，估計需求逐步止穩、2024年上半年合約價逐季向上。

HBM在AI浪潮推動下，與CoWoS成為市場熱議焦點，但鮮為人知首款採用高頻寬記憶體（GPU）的顯卡，卻是2015年由AMD發表之Radeon R9 Fury X，AMD可謂是HBM設計方案的開山鼻祖，手握相當多的HBM技術專利。

HBM為垂直堆疊的DRAM，與DRAM相比，提供更快資料傳輸速度、更高的頻寬和更大容量。歷經改良迭代，目前HBM3e為HBM3的擴展（Extended）版本；自SK海力士公司於2023年8月宣布成功開發出HBM3e後，三星（Samsung）於2023年11月亦宣布推出名為「Shinebolt」的HBM3e，對DDR5晶圓需求日漸爆發。

高頻寬記憶體為產業帶來新藍海，HBM3／3e由DDR5晶圓堆疊，2024年在PC／Server之DDR5採用度快速上升之狀況下，法人估計，2023年～2027年DDR5位元需求年複合成長率達80%。

不過，歷經產能供過於求的狀況後，廠商皆謹慎保守，於顆粒廠達損平之前，產能增開速度不會太快。

本文獲「工商時報」授權轉載，原文：AMD藉HBM超車，台廠DDR5概念股受惠

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