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台積電大舉擴張CoWoS產能,分析師:5家主力台廠吃利多!

撰文者:劉彥良分析師  更新時間:2026-01-27 瀏覽數:0

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台積電 晶片 先進封裝 CoWoS

圖片來源:Adobe Firefly
摘要
隨著摩爾定律趨近極限,台積電以先進封裝成為效能突破關鍵。透過SoIC、InFO、CoWoS整合為「3D Fabric」,算力可由製程微縮的80倍提升至320倍。新技術WMCM獲蘋果率先採用,帶動先進封裝產能擴張,相關設備廠如弘塑、辛耘、志聖、均豪、均華未來2年可望明顯受惠。

隨著摩爾定律逼近物理極限,先進製程的推展越發艱鉅,但市場對於效能的提升仍需求孔亟。因此透過先進封裝,將多種晶片透過異質整合的方式,整合成一個高效能系統,成為新的突破口。

根據台積電(2330)在SEMICON Taiwan 2025研討會提供的數據表示,28奈米到A16製程,僅靠製程微縮可提升80倍算力,然而搭配先進封技術,可大幅提升至320倍。

有鑒於此,台積電早在2022年8月底技術論壇中,就表示將統整旗下SoIC(System on Integrated Chips)、InFO(Integrated Fan-Out,整合扇出型)及CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate)等3D IC技術平台,命名為「3D Fabric」,將邏輯小晶片(Chiplet)、高頻寬記憶體(HBM)、特殊製程晶片等整合在一起。


SoIC 、InFO、CoWoS差異

SoIC 是一種高密度3D小晶片堆疊技術,專為10奈米以下先進製程設計的封裝技術,不使用傳統的金屬凸塊(Bump),而是透過混合鍵合(Hybrid Bonding)技術,將不同功能、節點的晶粒(Die)進行垂直異質整合,達到更小的互連間距與更高密度,實現短訊號傳輸、低功耗與高效能,廣泛應用於人工智慧(AI)與高速運算(HPC)晶片。

InFO是一種高密度、輕薄化的晶圓級封裝技術,透過去除傳統載板(Substrate)並直接在晶圓上進行封裝,大幅縮短訊號傳輸路徑、降低成本與功耗,適用於智慧型手機、穿戴設備與HPC等高密度互連應用。

CoWoS為2.5D封裝,將不同類型的晶片如系統單晶片(SoC)、記憶體等晶片放置在中介層(interposer)上,經由微凸塊連結,讓各晶片間的電子訊號順利傳輸,並經由「矽穿孔」(TSV)技術連結至下方的基板,藉此縮短晶片間的距離,能減少所佔體積、降低延遲和功耗、達到更佳效能。

「矽穿孔」可縮短晶片間的距離

資料來源:群益投顧

新技術WMCM取代InFo,獲蘋果率先採用

WMCM(晶圓級多晶片模組架構)是InFO技術的延伸,與InFO最大差異在於,可於重佈線層上平行整合不同功能晶片,包括AP應用處理器、記憶體,甚至高速I/O Die(輸入/輸出晶片),藉此提升互連密度、封裝良率與散熱效果。

蘋果將成為首位採用WMCM的客戶,計劃導入在2026年下半年推出的首款摺疊iPhone,以求在擴大記憶體容量下,同時維持更薄的封裝厚度。若導入順利,預期2027年將會擴大至更多機型。

InFO和WMCM比較表

資料來源:國泰證期研究部

台積電未來2年積極擴張先進封裝

為因應客戶先進封裝需求,台積電未來2年計畫大舉擴張先進封裝產能,今年首季舉辦的法說會上,宣布全年資本支出上看520億~560億美元,其中先進封裝占1成~2成。

台積電CoWoS在2025年底月產能約7萬片,估2026年底來到10萬片、2027年底再成長至13萬片,若加計日月光、矽品、Amkor(艾克爾)3家OSAT(外包半導體封裝與測試)業者則為8萬片、14萬片、17萬片。至於新推出的WMCM,估2026年第2季開始建置、第3季月產能2.5萬片、年底翻倍至5萬片。


5家設備廠受惠台積電積極擴張先進封裝

由於台積電與OAST廠未來2年將大舉擴張CoWoS產能,加上WMCM的製程與CoWoS相近,故預期將為CoWoS的5家主力台灣設備廠帶來顯著的業績貢獻,分別為濕製程設備的弘塑(3131)、辛耘(3583),以及G2C+聯盟的志聖(2467)、均豪(5443)、均華(6640)。

一、濕製程設備


弘塑(3131)

半導體濕製程設備廠,約占營收6成,另有2成來自配方化學品、15%來自代理量測設備。弘塑的產品線涵蓋單晶圓旋轉設備、批次式槽酸設備、複合式製程設備,主要應用於清潔、蝕刻、顯影和光阻剝離。

受惠先進封裝擴產,2025年設備總出貨量達170台~200台,較2024年成長70%~100%,帶動營收創新高。2026年除受惠CoWoS持續擴產外,新增的WMCM業務亦會帶來營收中個位數百分比的貢獻。

二期廠房預計2026年第1季開出、第3季放量,自有產能將翻倍至每年200台,有利毛利率走揚,進而帶動獲利成長。

辛耘(3583)

辛耘代理業務約占55%~60%、自製業務約占40%~45%。自製業務中,設備製造與再生晶圓約3:1。自製設備包括批次式晶圓濕製程設備、單晶圓濕製程設備、水氣烘烤設備及暫時性貼合剝離設備。


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